NAND闪存复苏开始于需求和供应的上升
伦敦、香港、波士顿、多伦多、新德里、北京、台北、首尔- 2021年6月8日
- 在2021年第一季度快闪记忆体内存市场环比反弹4.6%，达到153亿美元，而比特出货量增长了12%。
- 领先的制造商正在开发具有附加层的新型NAND闪存，以降低比特密度并提高制造效率。在2021年第一季度，64至130层的钻头出货量增长了20%以上。
- 三星电子占据了NAND市场的收入份额，SK海力士的收入实现了最高的季度增长率，美光在176层NAND闪存的量产方面领先于行业。
2021年第一季度，全球NAND闪存收入同比增长4.6%，达到153亿美元。远程教育和远程工作推动了对笔记本固态硬盘的需求，这帮助大公司抵消了服务器和数据中心市场对NAND闪存需求的减少。
副导演王布雷迪接着说扩张智能手机存储容量的增长，特别是中国oem厂商的增长，为NAND闪存的使用创造了一个不寻常的场景。平均智能手机的容量根据Counterpoint的数据，2020年第一季度增长了6%。因此，NAND闪存的合同价格在2021年第一季度下降了4-7%，远低于2020年第四季度7-11%的降幅。2021年第一季度末，降幅有所缓解。在同一时期，NAND闪存现货价格下跌了1-3%，但在该季度末开始上涨。
Wang补充说，在2021年第一季度，内存供应商正在全力迁移到更多层。钻头出货量环比增长了12%，而同期整体ASP下降了6%。在层数方面，64层至130层的比特出货量比例从2020年第一季度的52%增加到2021年第一季度的81%。层数的增加使NAND成本平均每年降低20%，但低于历史上30%的水平。理想情况下，NAND闪存可以达到500层以上。然而，在现实中，NAND闪存生产在100层之后开始遇到一些挑战，如高宽高比和制造时间长。因此，厂商采用Core Over peripheral (COP)/Circuit Under Array (CUA)将逻辑电路重新定位到存储单元下方。这样做可以使他们增加每片晶圆的净数量。此外，双重堆叠可以帮助快速增加层数，但可能会导致更高的成本，因为较低的产量。
在手持设备方面，主要的NAND闪存厂商正以有利的成本积极推广高密度umcp。与上一季度相比，中国智能手机MCP密度从8GB/128GB上升至12GB/256GB。
竞争格局
目前，NAND闪存产业由六大厂商主导。鉴于正在进行的收购，这一格局可能会在短期内发生重大调整英特尔的非易失性存储器溶液单位SK海力士．
三星
三星在2021年第一季度以51亿美元的销售额引领NAND市场收入比最接近的竞争对手高出80%以上。三星电子连续5个季度占据NAND市场收入的三分之一以上。美元兑韩元的疲软对该公司的零部件业务产生了负面影响，但最终用户产品业务完全弥补了这一影响。
三星正在向128层6迁移th第一代V-NAND，旨在在短期内使用该技术来推动其比特增长和成本竞争力。三星在128层第6代V-NAND中采用的单堆叠工艺使其成本低于使用双堆叠的竞争对手。但是，为了提高技术竞争力，三星电子计划在今年下半年推出第7代V-NAND(176层双堆叠型内存)，但代价是降低利润率。
SK海力士
SK海力士的NAND业务收入在2021年第一季度实现了12%的环比增长，尽管其平均售价下降了7%。这种优异的业绩源于(1)高密度智能手机内存产品的销售增长，以及(2)由于良率的提高，公司主要产品的成本竞争力增强。
研究助理Siddharth BhatlaSK海力士在2021年第一季度实现了高达21%的出货量增长，是WDC和三星出货量的两倍多。该公司预计，到2021年，NAND市场的比特需求增长率将达到30%左右，并计划在今年下半年积极满足这一需求。到今年年底，该公司计划将其128层的NAND产品比例提高到80%，并开始量产176层节点。
WDC
收入排名第三，WDC是唯一一家同时生产硬盘的NAND闪存制造商。该公司在笔记本固态硬盘方面的投资组合帮助其受益于个人电脑需求的激增，导致本季度比特出货量环比增长8%。该公司的多样化的终端市场投资组合客户端设备和解决方案的收入分别增长了10%和8%，抵消了数据中心市场收入下降20%的影响。
微米
美光在NAND行业的176层节点中处于领先地位，在上个季度开始量产，并随着时间的推移大幅增加。美光计划在2022年将该节点作为公司的主力，以促进公司的钻头增长和长期成本降低战略。该公司正致力于在其产品组合中增加QLC NAND的组合。这项技术的成本效益正在推动计算内存行业从hdd向ssd的转变。
由于全球数据中心、智能边缘和用户设备越来越多地采用人工智能和5G，对非易失性存储器产品的需求不断增长，美光已经将自己定位为利用这一需求。
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